آشکار سازی گازهای قابل اشتعال توسط حسگر‌ مقاومتی اکسید قلع ساخته شده به روش تبخیر با باریکه‌ی الکترونی
نویسندگان
چکیده
--
منابع مشابه
آشکار سازی گازهای قابل اشتعال توسط حسگر مقاومتی اکسید قلع ساخته شده به روش تبخیر با باریکهی الکترونی
-
متن کاملآشکار سازی گازهای قابل اشتعال توسط حسگر مقاومتی اکسید قلع ساخته شده به روش تبخیر با باریکهی الکترونی
-
متن کاملآشکار سازی گازهای قابل اشتعال توسط حسگر مقاومتی اکسید قلع ساخته شده به روش تبخیر با باریکهی الکترونی
در این نوشتار حساسیت «حسگر گاز مقاومتی»که از لایهی نازک اکسید قلع، ساختهشده نسبت به چند گاز قابل اشتعال مورد بررسی قرار گرفته است. به این منظور، لایهی نازک اکسید قلع آمورف به روش تبخیر توسط باریکهی الکترونی در خلأ بر روی زیرپایهی کوارتز نشانده شد. فرایند تبلور لایهی حاصل در دمای 300 بهمدت ۱۴۰ دقیقه صورت گرفت. ریزساختار لایهها با XRD بررسی، و اندازهی متوسط دانههای متبلور اکسید قلع 1...
متن کاملتاثیر غلظت آلاینده اکسید قلع بر خواص ساختاری و اپتیکی لایههای نازک اکسید ایندیم تهیه شده به روش تبخیر با باریکه الکترونی
در این کار تجربی لایههای نازک اکسید ایندیم آلاییده با اکسید قلع (ITO) با ترکیبهای مختلفی از 60 تا wt%95 اکسید ایندیم و 40 تا wt%5 اکسید قلع با استفاده از روش تبخیر با باریکه الکترونی بر روی زیرلایههای شیشهای نهشته شدند. لایهها پس از نهشت، به مدت 3 ساعت در هوا در دمای Cْ450 تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند. تاثیر غلظت آلاینده اکسید قلع با تغییر غلظت آن از 5 تا wt%40 بر روی خواص ساختاری و اپتیک...
متن کاملتاثیر غلظت آلاینده اکسید قلع بر خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیم تهیه شده به روش تبخیر با باریکه الکترونی
در این کار تجربی لایه های نازک اکسید ایندیم آلاییده با اکسید قلع (ito) با ترکیب های مختلفی از 60 تا wt%95 اکسید ایندیم و 40 تا wt%5 اکسید قلع با استفاده از روش تبخیر با باریکه الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای نهشته شدند. لایه ها پس از نهشت، به مدت 3 ساعت در هوا در دمای cْ450 تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند. تاثیر غلظت آلاینده اکسید قلع با تغییر غلظت آن از 5 تا wt%40 بر روی خواص ساختاری و اپتیک...
متن کاملاثر شار اکسیژن بر روی ضریب شکست لایه اکسید آلومینیوم، لایهنشانی شده با روش تبخیر باریکه الکترونی
The effects of oxygen flow rate on refractive index of aluminum oxide film have been investigated. The Al2O3 films are deposited by electron beam on glass substrate at different oxygen flow rates. The substrate was heated to reach and the temperature was constant during the thin film growth. The transmittance spectrum of samples was recorded in the wavelength 400-800 nm. Then, using the maxim...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
عنوان ژورنال:
مهندسی صنایع و مدیریتجلد ۲۰۰۷، شماره ۳۸ - ویژه مهندسی برق و کامپیوتر، صفحات ۲۱-۲۹
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023